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MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

AI 导读

铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片,采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构,单芯片容量1Gb,密度达30Mb/mm²,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。该芯片通过多个阻变存储单元共享选择晶体管,在有限面积上集成更多存储单元,兼顾密度、容量与成本,目前已完成流片并正在推进验证。

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来源:量子位 QbitAI · qbitai.com